Цели:
разработка технологических процессов создания светодиодных многокристальных модулей на основе алюмооксидных оснований c повышенным температурным диапазонам для использования в светоизлучающих устройствах силовой осветительной техники.
Задачи:
- минимизация тепловых сопротивлений на пути следования тепла от чипов к подложке и достижение высокоэффективного теплоотвода при интеграции мощных светодиодов в матрицы и многокристальные модули;
- отработка технологических приемов и методов формирования диэлектрических покрытий на основе структурно-модифицированного пористого оксида алюминия с комбинированной морфологией на основаниях из алюминиевых сплавов (в том числе с вариантами конструкций радиаторных систем различных геометрических конфигураций);
- освоение локального толстослойного анодирования с формированием открытых зон выхода на алюминиевую основу для возможности последующего контактирующего соединения кристаллов мощных светодиодов при монтаже;
- отработка методов формирования пассивной части светодиодных матриц в виде металлизированных коммутационных элементов (электрохимически осажденной меди).
Актуальность (решаемые проблемы):
результаты НИР актуальны для использования в осветительной силовой электронике.
Краткое описание создаваемой научно-технической продукции:
в результате выполнения НИР будут разработаны:
- технологические процессы электрохимического анодирования широкоформатных оснований (площадью до 100 см2) из Al-сплавов с вариантами конструкций радиаторных систем для формирования модифицированных диэлектрических покрытий (толщиной до 200 мкм);
- технологические методы улучшения параметров теплопередачи и эффективности теплоотвода алюмооксидных оснований (с коэффициентом теплопроводности до 50-100 Bт/м∙К);
- технологические приемы локального толстослойного анодирования с формированием открытых зон выхода на Al-основу (глубиной до 20 мкм) для возможности последующего контактирующего соединения кристаллов мощных светодиодов при монтаже;
- процессы электрохимического формирования на алюмооксидной поверхности металлизированных пленок на основе Cu (толщиной до 50 мкм), создание пассивной части (коммутационных соединений) и монтаж мощных светодиодов.
Область применения результатов НИОКР:
электроника и энергетика.
Контактная информация:
учреждение образования "Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники"
Научно-исследовательская часть
тел: +375 17 293 80 55
e-mail: science@bsuir.by