Разработка технологии изготовления светодиодных многокристальных модулей на основе алюмооксидных оснований с повышенным температурным диапазоном.

bguir_admin - Thu, 03/05/2020 - 09:23
Программа:
Вид научной деятельности:
Вид создаваемой научно-технической продукции:
Дата начала работ:
Дата окончания работ :
Цели:

разработка технологических процессов создания светодиодных многокристальных модулей на основе алюмооксидных оснований c повышенным температурным диапазонам для использования в светоизлучающих устройствах силовой осветительной техники.

Задачи:

  • минимизация тепловых сопротивлений на пути следования тепла от чипов к подложке и достижение высокоэффективного теплоотвода при интеграции мощных светодиодов в матрицы и многокристальные модули;
  • отработка технологических приемов и методов формирования диэлектрических покрытий на основе структурно-модифицированного пористого оксида алюминия с комбинированной морфологией на основаниях из алюминиевых сплавов (в том числе с вариантами конструкций радиаторных систем различных геометрических конфигураций);
  • освоение локального толстослойного анодирования с формированием открытых зон выхода на алюминиевую основу для возможности последующего контактирующего соединения кристаллов мощных светодиодов при монтаже;
  • отработка методов формирования пассивной части светодиодных матриц в виде металлизированных коммутационных элементов (электрохимически осажденной меди).
Актуальность (решаемые проблемы):

результаты НИР актуальны для использования в осветительной силовой электронике.

Краткое описание создаваемой научно-технической продукции:

в результате выполнения НИР будут разработаны:

  • технологические процессы электрохимического анодирования широкоформатных оснований (площадью до 100 см2) из Al-сплавов с вариантами конструкций радиаторных систем для формирования модифицированных диэлектрических покрытий (толщиной до 200 мкм);
  • технологические методы улучшения параметров теплопередачи и эффективности теплоотвода алюмооксидных оснований (с коэффициентом теплопроводности до 50-100 Bт/м∙К);
  • технологические приемы локального толстослойного анодирования с формированием открытых зон выхода на Al-основу (глубиной до 20 мкм) для возможности последующего контактирующего соединения кристаллов мощных светодиодов при монтаже;
  • процессы электрохимического формирования на алюмооксидной поверхности металлизированных пленок на основе Cu (толщиной до 50 мкм), создание пассивной части (коммутационных соединений) и монтаж мощных светодиодов. 
Область применения результатов НИОКР:

электроника и энергетика.

Контактная информация:

учреждение образования "Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники"
Научно-исследовательская часть
тел: +375 17 293 80 55
e-mail: science@bsuir.by