Цели:
разработка технологии изготовления конденсаторных структур на основе макропористого кремния и исследование их электрофизических характеристик для создания интегральных конденсаторов высокой емкости.
Задачи:
- разработать процесс изготовления высокоупорядоченных слоев макропористого кремния с низкой шероховатостью стенок каналов пор;
- исследовать особенности легирования слоев макропористого кремния бором;
- исследовать особенности атомно-слоевого осаждения оксида гафния в макропористый кремний;
- изготовить структуры конденсаторные структуры на основе макропористого кремния и пленок оксида гафния и изучить их емкостные характеристики;
- оптимизировать режимы электрохимического анодирования кремния и атомно-слоевого осаждения оксида гафния, обеспечивающие получение конденсаторных структур, демонстрирующих максимальную удельную емкость при минимальных геометрических размерах.
Актуальность (решаемые проблемы):
результаты НИР актуальны для использования в электронике.
Краткое описание создаваемой научно-технической продукции:
в результате выполнения НИР будет разработана технология изготовления конденсаторных структур на основе макропористого кремния и исследованы их электрофизические характеристики для создания интегральных конденсаторов высокой емкости.
Область применения результатов НИОКР:
электроника.
Контактная информация:
учреждение образования "Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники"
Научно-исследовательская часть
тел: +375 17 293 80 55
e-mail: science@bsuir.by